Модуль памяти PNY MN8GSD42666 8GB DDR4 2666 SO DIMM Non-ECC, CL19, 1.2V, RTL {10}, (632759)
Артикул: MN8GSD42666
Модуль памяти PNY MN8GSD42666 8GB DDR4 2666 SO DIMM Non-ECC, CL19, 1.2V, RTL {10}, (632759)
Характеристики
| Cas latency (cl) | 19 |
| Вид поставки | OEM |
| Высота, мм | 30 мм |
| Количество контактов | 260 |
| Количество модулей в комплекте, шт | 1 шт |
| Количество ранков | 2 |
| Комплект поставки | Модуль памяти |
| Модель | MN8GSD42666 |
| Наличие радиатора | Нет |
| Напряжение питания, В | 1.2 В |
| Низкопрофильная | Нет |
| Объем одного модуля, ГБ | 8 ГБ |
| Поддержка ecc | Нет |
| Подсветка | Нет |
| Пропускная способность, Мб/с | 21300 Мб/с |
| Серия | Performance |
| Ссылка на описание | https://www.pny.eu/ru/consumer/explore-all-products/memory/1311-notebook-memory-pny-performance-ddr4-2666mhz---8gb |
| Стандарт памяти | DDR4 |
| Суммарный объем, ГБ | 8 ГБ |
| Тип | Модуль памяти |
| Тип памяти | Unbuffered |
| Форм-фактор | SODIMM |
| Ширина, мм | 69.6 мм |
| Эффективная частота, МГц | 2666 МГц |
Производитель: PNY
Категория: DDR4 SO DIMM
Модель : MN8GSD42666Габариты :длина товара 0.165, ширина товара 0.14, высота товара 0.215, объем упаковки 0.0049665 м3, вес упаковки: 0.533Количество товара в упаковке : 10шт.Гарантия в месяцах : 120
Тип : Модуль памятиСерия : PerformanceМодель : MN8GSD42666Тип памяти : UnbufferedФорм-фактор : SODIMMСтандарт памяти : DDR4Объем одного модуля, ГБ : 8 ГБКоличество модулей в комплекте, шт : 1 штСуммарный объем, ГБ : 8 ГБЭффективная частота, МГц : 2666 МГцПропускная способность, Мб/с : 21300 Мб/сПоддержка ECC : НетНизкопрофильная : НетКоличество ранков : 2Количество контактов : 260CAS Latency (CL) : 19Напряжение питания, В : 1.2 ВНаличие радиатора : НетПодсветка : НетШирина, мм : 69.6 ммВысота, мм : 30 ммВид поставки : OEMКомплект поставки : Модуль памятиСсылка на описание : https://www.pny.eu/ru/consumer/explore-all-products/memory/1311-notebook-memory-pny-performance-ddr4-2666mhz---8gb
Остались вопросы?
Задать вопрос