Главная страницаСерверное оборудованиеM.2 СерверныеТвердотельный накопитель SSD Samsung Enterprise PM9A3 MZ1L23T8HBLA-00A07 M.2 22110, 3840GB, 5500/2000...

Твердотельный накопитель SSD Samsung Enterprise PM9A3 MZ1L23T8HBLA-00A07 M.2 22110, 3840GB, 5500/2000...

Артикул: MZ1L23T8HBLA-00A07

Твердотельный накопитель SSD Samsung Enterprise PM9A3 MZ1L23T8HBLA-00A07 M.2 22110, 3840GB, 5500/2000 MB/s, 800k/85k IOPS, NVME Gen 4, 1.3DWPD (3Y)

Характеристики

Версия pci-e	PCIe 4.0 x4 w/NVMe
Внешняя скорость передачи данных, до, МБ/с	7877 МБ/с
Глубина, мм	22 мм
Комплект поставки	Инструкция, накопитель
Контроллер	Elpis
Максимальная скорость записи, МБ/с	2000 МБ/с
Максимальная скорость чтения, МБ/с	5500 МБ/с
Назначение	Server
Номинальный объем, ГБ	3840 ГБ
Серия продукции	PM9A3
Скорость произвольного чтения (блоки по 4 кБ), kiops	800 kIOPS
Скорость произвольной записи (блоки по 4 кБ), kiops	85 kIOPS
Среднее время наработки на отказ (mtbf), тыс. час.	2000 тыс. час.
Ссылка на описание	https://www.samsung.com/semiconductor/global.semi.static/[S210809]_PM9A3_SSD_Whitepaper.pdf
Тип	Внутренний твердотельный накопитель
Тип интерфейса	PCI Express
Тип комплектации	RTL
Тип памяти	3D NAND TLC
Ударостойкость при работе, g	1500 G
Ударостойкость при хранении, g	1500 G
Форм-фактор накопителя	M.2 22110
Ширина, мм	110 мм
Энергопотребление при работе, max, Вт	8.2 Вт, max

Производитель: Samsung

Категория: M.2 Серверные

Твердотельный накопитель SSD Samsung Enterprise PM9A3 MZ1L23T8HBLA-00A07 M.2 22110, 3840GB, 5500/2000 MB/s, 800k/85k IOPS, NVME Gen 4, 1.3DWPD (3Y)

Модель : MZ1L23T8HBLA-00A07
Гарантия в месяцах : 12

Тип интерфейса : PCI Express
Версия PCI-E : PCIe 4.0 x4 w/NVMe
Тип : Внутренний твердотельный накопитель
Серия продукции : PM9A3
Назначение : Server
Форм-фактор накопителя : M.2 22110
Номинальный объем, ГБ : 3840 ГБ
Тип памяти : 3D NAND TLC
Контроллер : Elpis
Максимальная скорость чтения, МБ/с : 5500 МБ/с
Максимальная скорость записи, МБ/с : 2000 МБ/с
Скорость произвольного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS : 800 kIOPS
Скорость произвольной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS : 85 kIOPS
Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час. : 2000 тыс. час.
Энергопотребление при работе, max, Вт : 8.2 Вт, max
Ударостойкость при работе, G : 1500 G
Ударостойкость при хранении, G : 1500 G
Ширина, мм : 110 мм
Глубина, мм : 22 мм
Тип комплектации : RTL
Комплект поставки : Инструкция, накопитель
Ссылка на описание : https://www.samsung.com/semiconductor/global.semi.static/[S210809]_PM9A3_SSD_Whitepaper.pdf
Внешняя скорость передачи данных, до, МБ/с : 7877 МБ/с

Остались вопросы?

Задать вопрос