Модуль памяти Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB DDR4 2666 SO DIMM Non-ECC, CL19, 1.2V, 2Rx8, 2048x128, Bulk...
Артикул: M471A4G43MB1-CTDDY
Модуль памяти Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB DDR4 2666 SO DIMM Non-ECC, CL19, 1.2V, 2Rx8, 2048x128, Bulk {75}
Характеристики
| Activate to precharge delay (tras) | 40 |
| Cas latency (cl) | 19 |
| Ras to cas delay (trcd) | 19 |
| Row precharge delay (trp) | 19 |
| Вид поставки | OEM |
| Высота, мм | 30 мм |
| Количество контактов | 260 |
| Количество модулей в комплекте, шт | 1 шт |
| Количество ранков | 2 |
| Количество чипов на модуле, шт | 16 шт |
| Комплект поставки | Модуль памяти |
| Модель | M471A4G43MB1-CTDDY |
| Наличие радиатора | Нет |
| Напряжение питания, В | 1.2 В |
| Низкопрофильная | Нет |
| Нормальная операционная температура, °c | 85 °C |
| Объем одного модуля, ГБ | 32 ГБ |
| Поддержка ecc | Нет |
| Подсветка | Нет |
| Пропускная способность, Мб/с | 21300 Мб/с |
| Расширенная операционная температура, °c | 95 °C |
| Серия | M471 |
| Ссылка на описание | https://www.samsung.com/semiconductor/dram/module/M471A4G43MB1-CTD/ |
| Стандарт памяти | DDR4 |
| Суммарный объем, ГБ | 32 ГБ |
| Тип | Модуль памяти |
| Тип памяти | Unbuffered |
| Форм-фактор | SODIMM |
| Ширина, мм | 69.6 мм |
| Эффективная частота, МГц | 2666 МГц |
Производитель: Samsung
Категория: DDR4 SO DIMM
Модуль памяти Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB DDR4 2666 SO DIMM Non-ECC, CL19, 1.2V, 2Rx8, 2048x128, Bulk {75}
Модель : M471A4G43MB1-CTDГабариты :длина товара 0.33, ширина товара 0.31, высота товара 0.5, объем упаковки 0.05115 м3, вес упаковки: 1.071Количество товара в упаковке : 75шт.Гарантия в месяцах : 24
Тип : Модуль памятиСерия : M471Модель : M471A4G43MB1-CTDDYТип памяти : UnbufferedФорм-фактор : SODIMMСтандарт памяти : DDR4Объем одного модуля, ГБ : 32 ГБКоличество модулей в комплекте, шт : 1 штСуммарный объем, ГБ : 32 ГБЭффективная частота, МГц : 2666 МГцПропускная способность, Мб/с : 21300 Мб/сПоддержка ECC : НетНизкопрофильная : НетКоличество чипов на модуле, шт : 16 штКоличество ранков : 2Количество контактов : 260CAS Latency (CL) : 19RAS to CAS Delay (tRCD) : 19Row Precharge Delay (tRP) : 19Activate to Precharge Delay (tRAS) : 40Напряжение питания, В : 1.2 ВНормальная операционная температура, °C : 85 °CРасширенная операционная температура, °C : 95 °CНаличие радиатора : НетПодсветка : НетШирина, мм : 69.6 ммВысота, мм : 30 ммВид поставки : OEMКомплект поставки : Модуль памятиСсылка на описание : https://www.samsung.com/semiconductor/dram/module/M471A4G43MB1-CTD/
Остались вопросы?
Задать вопрос