Главная страницаПерсональные и периферийные системыSSD M.2Твердотельный накопитель SSD Samsung 512GB M.2 2280 PM9A1 MZVL2512HCJQ-00B00 PCIe Gen4x4 with NVMe,...

Твердотельный накопитель SSD Samsung 512GB M.2 2280 PM9A1 MZVL2512HCJQ-00B00 PCIe Gen4x4 with NVMe,...

Артикул: MZVL2512HCJQ-00B00

Твердотельный накопитель SSD Samsung 512GB M.2 2280 PM9A1 MZVL2512HCJQ-00B00 PCIe Gen4x4 with NVMe, R/W 6900/5000 Mb/sec; IOPS 800000, MTBF 1.5M, 300TBW

Характеристики

Версия pci-e	PCIe 4.0 x4 w/NVMe
Комплект поставки	SSD накопитель
Контроллер	Elpis
Максимальная скорость записи, МБ/с	5000 МБ/с
Максимальная скорость чтения, МБ/с	6900 МБ/с
Назначение	Desktop
Номинальный объем, ГБ	512 ГБ
Особенности	Ресурс TBW: 300 ТБ
Серия продукции	PM9A1
Скорость произвольного чтения (блоки по 4 кБ), kiops	800 kIOPS
Скорость произвольной записи (блоки по 4 кБ), kiops	800 kIOPS
Среднее время наработки на отказ (mtbf), тыс. час.	1500 тыс. час.
Ссылка на описание	https://semiconductor.samsung.com/ssd/pc-ssd/pm9a1/mzvl2512hcjq-00-00-07/
Суммарное число записываемых Байт (tbw), ТБ	300 ТБ
Тип	Внутренний твердотельный накопитель
Тип интерфейса	PCI Express
Тип комплектации	OEM
Тип памяти	3D NAND
Ударостойкость при работе, g	1500 G
Ударостойкость при хранении, g	1500 G
Форм-фактор накопителя	M.2 2280
Энергопотребление при работе, max, Вт	5.8 Вт, max

Производитель: Samsung

Категория: SSD M.2

Твердотельный накопитель SSD Samsung 512GB M.2 2280 PM9A1 MZVL2512HCJQ-00B00 PCIe Gen4x4 with NVMe, R/W 6900/5000 Mb/sec; IOPS 800000, MTBF 1.5M, 300TBW

Модель : MZ-VL25120
Гарантия в месяцах : 12

Тип интерфейса : PCI Express
Версия PCI-E : PCIe 4.0 x4 w/NVMe
Тип : Внутренний твердотельный накопитель
Серия продукции : PM9A1
Назначение : Desktop
Форм-фактор накопителя : M.2 2280
Номинальный объем, ГБ : 512 ГБ
Тип памяти : 3D NAND
Контроллер : Elpis
Максимальная скорость чтения, МБ/с : 6900 МБ/с
Максимальная скорость записи, МБ/с : 5000 МБ/с
Скорость произвольного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS : 800 kIOPS
Скорость произвольной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS : 800 kIOPS
Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час. : 1500 тыс. час.
Суммарное число записываемых Байт (TBW), ТБ : 300 ТБ
Энергопотребление при работе, max, Вт : 5.8 Вт, max
Ударостойкость при работе, G : 1500 G
Ударостойкость при хранении, G : 1500 G
Особенности : Ресурс TBW: 300 ТБ
Тип комплектации : OEM
Комплект поставки : SSD накопитель
Ссылка на описание : https://semiconductor.samsung.com/ssd/pc-ssd/pm9a1/mzvl2512hcjq-00-00-07/

Остались вопросы?

Задать вопрос